4月8日，正式面向行业客户提供国内首个适用于8英寸硅基薄膜铌酸锂加工工艺的PDK（工艺设计包）；4月9日，国内首个硅基薄膜钽酸锂光子芯片PDK发布；4月10日，国内首个石英基薄膜铌酸锂PDK发布……

  “上午刚发布薄膜钽酸锂PDK，下午就有4位客户来咨询何时可以流片。”近日，记者见到南京南智先进光电集成技术研究院有限公司（以下简称南智光电）资深工程师叶志霖时，他正从往常的“工作模式”切换为“社交模式”。

  3天内，南智光电连续发布5款全新工艺设计包，涵盖薄膜铌酸锂（TFLN）、硅光（SiP）及微机电系统（MEMS）等领域。此次PDK密集发布，标志着国内首条“薄膜铌酸锂+X”光电异质集成产线，在标准化工艺开发及量产能力上取得重大突破，将更好地满足产业及科研客户多样化芯片制造需求。

  工程师设计出的芯片版图如何变为一块真实的芯片？为了能够更好的保证芯片顺利制造并达到预期性能，可提供标准化工艺参数和器件模型的PDK起到了重要助力作用。

  “你可以把它看作一个‘压缩文件’，里面把工艺细节都规范好，用户只要调用程序，让设计版图满足相关规则，便能交由我们加工。”叶志霖比喻道。

  据了解，本次密集发布的5款PDK涵盖当前主流技术路线，在芯片设计接口、工艺流程标准化等方面取得全方位提升，能够大大降低芯片设计团队的研发难度和不确定性，加速技术成果转化。例如，石英基薄膜铌酸锂通过采用全新的衬底材料，让芯片性能得到较大提升。

  “这不仅说明我们平台的技术积累达到了新的高度，更重要的是能够在一定程度上帮助更多行业内企业和科研团队迅速落地高水平光子芯片设计，实现技术的快速迭代与产业化。”南智光电研发技术总监严仲博士表示。

  光作为一种通信媒介，能以最小的能量损失传输大量数据。近年来，全球算力基础设施爆发式增长，正重塑光子芯片产业格局。

  作为南京江北新区重点布局和打造的光电公共技术平台，2024年，南智光电启动国内首个实际运营的铌酸锂光子芯片产线。

  不同于传统集成电路，光电芯片需要将激光器、调制器、探测器等光学元件与电子芯片集成，工艺复杂度呈几何级数增长。去年，南智光电研发团队率先突破晶圆级薄膜铌酸锂工艺开发难题，广泛适配光通信、光传感、微系统集成等热门应用场景芯片加工。

  “首款4英寸的工艺开发包发布后，很多客户来我们这里流片，他们带入了一些新的要求和方向，在这个基础上，今年我们新开发了工艺包，其中大尺寸方向便是面向那些有量产需求的目标客户，我们也成为国内首家可提供8英寸薄膜铌酸锂流片服务的企业。”叶志霖说，8英寸薄膜铌酸锂晶圆能切割出的小芯片数量约为4英寸的4倍，成本至少下降一半。

  记者了解到，目前，该产线英寸薄膜铌酸锂晶圆稳定代工流片，月产能可达1000片晶圆，服务客户300余家，2024年光子芯片流片及产品研究开发收入突破1亿元。

  在南智光电研发办公楼一侧，江北新区光电产业园二期项目正处于紧张的建设阶段，预计今年底建成投用。

  该项目总投资5亿元，拟新建厂房以及相关设施配套等科创载体空间2万平方米。项目建成后，将覆盖光电芯片生产制造全链条相关领域，满足光子芯片高标准制造需求。“新产线的建设将加强完善我们的产能布局，加快从研发创新到产业落地的速度，使我们有能力推动光电产业生态更高水平发展。”严仲介绍，新建设的产业空间还将配套个性化生产设施与安全管理体系，满足高技术企业在中试及小规模量产阶段的特定需求，有效促进更多先进的技术成果落地转化。

  “南京在全国光子芯片产业布局中已形成一定先发优势。南智光电作为该领域核心平台之一，同时具备了标杆孵化器和中试平台两个重要资质，将继续依托政策支持和产业协同，助力南京构建全球领先的光电产业高地，为区域经济高水平质量的发展注入新动能。”南智光电董事长尹志军表示。